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 代工服务内容

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 驱动IC统包服务

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 厚铜/铜柱服务内容

厚铜工艺:厚铜工艺是为了解决目前Power IC在现有晶圆代工厂厚铝只有3μm,因而无法满足低阻抗需求及电流带载能力不足而开发的工艺。因方块电阻的阻值与金属厚度成反比,颀中科技以电镀技术在晶圆片上电镀出10μm以上的厚铜凸块,使原本的方块电阻大幅下降,加大电流带载能力,提升转换效率。在厚铜上可搭上更多的金线、铜线,也可降低接触电阻。

铜柱工艺:铜柱凸块技术是以晶圆电镀技术在倒装封装芯片上制作焊接凸块,铜柱倒装封装,导电性、导热性及抗电子迁移能力都比传统打线方式提升很多,而且IC封装体积可以更小,目前大量被Power IC、Audio PA、Load Switch、RF PA、RF Switch、LNA…等IC使用。
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 晶圆级晶片尺寸封装WLCSP

晶圆级芯片尺寸封装(Wafer Level Chip Scale Packaging)是先在整片晶圆上进行封装和测试,然后经切割并将IC直接用机台以pick up & flip方式将其放置于Carrier tape中,并以Cover tape保护好后,提供后段SMT (Surface Mounting technology)直接以机台将该IC自Carrier tape取料后,置放于PCB上。
WLCSP 少掉基材、铜箔等,使其以晶圆形态进行研磨、切割后完成的IC厚度和一般QFP、BGA……等等封装方式比较起来更为薄、小、轻,较符合未来产品轻、薄之需求;且因其不需再进行封装,即可进行后段SMT制程,故其成本价格较一般传统封装更低。

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 多样的产品应用面

※ LCD Driver IC(DDI/TDDI): 应用于各大中小尺寸平面显示器面板(LCD Panel, PDP Panel, or OLED Panel…)的驱动IC 
※ CIS:CMOS image sensor
※ Finger Print sensor
※ RFID射频智能卡
※ Medical devices
※ Power IC
※ Others

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 便利的加值服务
※ 金凸块(Gold Bump):提供光罩的设计及代购
※ 铜/锡 凸块(Cu Bump/Thick Cu RDL/Solder Bump):提供光罩的设计及代购
※ 晶圆测试(Chip Probe):提供探针板的设计及维修
※ 卷带式薄膜覆晶封装(COF): 提供柔性电路板(COF)的设计及代购
※ 最终测试(Final Test):提供探针板的设计及维修及代购
※ 定点出货(Dropship):直接出货给终端客户
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