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 铜柱凸块(Copper Pillar Bump)技术

铜柱凸块(Copper Pillar Bump)技术是在覆晶封装芯片的表面制作焊接凸块,使其具备较佳的导电、导热和抗电子迁移能力的功能。采用铜柱凸块覆晶封裝代替传统的打线封装,可以缩短连接电路的长度,以减小芯片封装面积和体积,实现微型化,并减少芯片系统寄生电容的干扰、电阻发热和信号延迟等缺点,提高芯片封装模组性能。

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 特点
※ 具有低热阻特性,散热性能良好
※ 具有低电阻特性,导电能力佳
※ 较佳的抗电迁移能力
※ 适合更细微之线距(Fine pitch)产品应用
※ 直立bump更容易underfill
※ RoHS (符合欧盟规定)
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 产品应用面Applications
※ 电源管理(Power IC)
※ 射频芯片(RF IC)
※ 基带芯片(Base Band)
※ 功率放大器(Power Amplifier)
※ 应用处理器(Application processor)
※ 高脚数逻辑IC (High Pin Logic)
※ 记忆体及行动装置 (Memory & Mobile) 
※ LED次封装 (Submount) 
※ 车用电子元件 (Automotive) 
※ 生物医疗装置 (Medical Devices)
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 生产流程简介Process flow introduction

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 铜柱凸块(Copper Pillar Bump)设计 Bumping Design Rule
可向公司接洽询问.
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 主要服务项目
※ Cu Pillar Mask Layout及代购
※ PI Mask Layout及代购 
※ Pillar生产制造
※ PI+ Cu Pillar生产制造 
※ PI+RDL+Cu Pillar生产制造
※ PI+RDL+PI+Cu Pillar生产制造
※ 产品失效分析
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